11月7日至11月10日，第四届全国宽禁带半导体学术会议在厦门举办。本届会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会、第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办，厦门大学和南京大学承办，福建省半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心、福建省半导体材料及应用重点实验室、厦门市未来显示技术研究院、厦门大学物理科学与技术学院等共同协办。

开幕式由厦门大学物理科学与技术学院康俊勇教授主持。厦门大学校长、大会主席张荣教授，国家自然科学基金委信息学部主任郝跃院士，中国有色金属学会宽禁带专业委员会常务副主任张国义教授，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，厦门市科学技术局局长孔曙光等分别致辞。2014年诺贝尔物理学奖获得者天野浩教授通过视频方式为本届会议致辞。

张荣首先代表学校欢迎来自全国各地高校、科研院所及企业等近150家单位的500余位参会嘉宾。他表示，厦门大学是国内最早创办半导体学科的五所高校之一，在政府和产业的支持下，先后建成厦门第一条半导体器件研发工艺线;建立了中国第一个半导体照明产业化基地。近年来，厦门大学与三安光电、光莆电子、乾照光电等企业联合攻关，在宽禁带半导体固态照明光源、大功率可见光激光器、柔性多结太阳能电池及深紫外消杀等领域深入合作并取得新进展，持续推动宽禁带半导体的成果转化和技术创新。面对日益激烈的国际竞争，厦大将进一步加强与各科研机构、产业企业合作，坚持“四个面向”，针对关键问题和“卡脖子”问题下大力气，为国家科技战略力量提升输送更多高层次、创新型科技人才，为推动国家创新战略的实施作出更大贡献。

本届会议以“芯动力 新征程——宽禁带半导体的机遇与挑战”为主题，瞄准全球宽禁带半导体竞争的技术制高点与突破口，共设立12场大会特邀报告。院士专家们围绕国内外宽禁带半导体的最新动态与发展趋势，结合领域内研究热点与难点，从基础研究到产学技术应用，分别介绍了宽禁带半导体领域包括氮化物、碳化硅等核心衬底材料、外延技术、器件制备以及应用。尤其展示了我国在大功率可见光激光器、高压大电流电子器件等关键难点技术方面取得的突破性进展。

会议同期设置了“材料生长与表征”、“光电子器件及应用”、“功率电子与射频电子器件”、“新型宽禁带半导体材料及应用”、“青年论坛”5场分会，采用“线下+线上”相结合的方式举行。分会共设立邀请报告58场，口头报告71场，并有近200张海报交流及企业展览展示。以密集高水平学术报告和前沿研究内容分享，围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件制备以及相关设备研发等领域开展广泛交流，为与会人员带来一场学术与产业交融的盛宴。大会最终评选出5场优秀青年论坛邀请报告和10张最佳海报奖。

本届会议受到学术、产业与资本的高度关注，论文摘要投稿数量突破350篇，创历届之最。开闭幕式共有13000余人次观看视频直播。今年是国家“十四五”规划开局之年，本次会议的召开，有着特别的意义。新起点上，如何迈好我国宽禁带半导体发展第一步、推进新征程至关重要。通过此次会议广泛的讨论交流，发现合作机会，实现优势互补，将助力我国抢占宽禁带半导体国际战略制高点，进一步推动我国科技自立自强。

(物理科学与技术学院)